Palladium Deposition Sputter
RF Sputter
Control box (19" rack)
SPUTTER Operation Procedure
Turn on the Foreline Valve for about 5 minutes, then turn on the Roughing Valve and wait until the base pressure reaches a low vacuum level (0.01–0.005 Torr).
Foreline Valve를 약 5분간 켜고, Roughing Valve를 켠 후 저진공 베이스 압력0.01~0.005 Torr에 도달할 때까지 기다립니다.
When the desired low vacuum base pressure (0.01–0.005 Torr) is reached:
Open the Foreline Valve.
Turn on the T.M.P Power and wait until the system reaches normal RPM.
Open the Main Valve, followed by the Through Valve.
Turn on the high-vacuum gauge and wait until the high-vacuum base pressure (0.0005–0.00005 Torr) is achieved.
Turn off the high-vacuum gauge.
원하는 저진공 베이스 압력(0.01~0.005 Torr)에 도달하면:
Foreline Valve를 엽니다.
T.M.P Power를 켜고 시스템이 정상 RPM에 도달할 때까지 기다립니다.
Main Valve를 열고, 이어서 Through Valve를 엽니다.
고진공 게이지를 켜고 고진공 베이스 압력(0.0005~0.00005 Torr)에 도달할 때까지 기다립니다.
고진공 게이지를 끕니다.
Close the Through Valve, and set the process flow rate using the MFC (Mass Flow Controller) to '20–150 SCCM'. Then introduce Ar Gas.
Through Valve를 닫고, MFC(질량 유량 제어기)를 사용하여 공정 유량 값을 '20~150 SCCM'으로 설정한 후 Ar Gas를 주입합니다.
Adjust the pressure using the Through Valve until the low vacuum base pressure (0.003–0.008 Torr) is reached. (Turn on the Rotate and Heater).
Through Valve를 이용해 압력을 조정하여 저진공 베이스 압력(0.003~0.008 Torr)에 도달할 때까지 조정합니다. (Rotate 및 Heater를 켭니다.)
Once the process conditions are set:
Open the shutter, set the RF Power to the desired level (W), and then open the main shutter.
공정 조건이 완료되면:
셔터를 열고 RF Power를 원하는 출력(W)으로 설정한 후 메인 셔터를 엽니다.
Observe the plasma and note its color.
플라즈마를 관찰하고 색상을 확인합니다.
After deposition for the desired duration, reduce the RF Power, and after 5 minutes, turn it off.
원하는 시간만큼 증착한 후 RF Power를 낮추고, 5분 후 RF Power를 끕니다.
Turn off the Rotate, Heater, Shutter, and Gas Valve.
Rotate, Heater, Shutter, Gas Valve를 끕니다.
Open the Through Valve to pump out residual gas and remaining vapor.
Through Valve를 열어 잔여 가스와 남아있는 증기를 펌핑합니다.
After pumping is complete:
Close the Through Valve and Main Vacuum Valve.
Wait for the T.M.P RPM to decrease (approximately 30 minutes), then close the Foreline Valve.
펌핑이 완료되면:
Through Valve와 Main Vacuum Valve를 닫습니다.
T.M.P RPM이 감소할 때까지 기다린 후(약 30분) Foreline Valve를 닫습니다.
Vent the chamber until the internal pressure reaches atmospheric pressure.
챔버 내부 압력을 대기압 상태로 배기합니다.
Open the chamber and inspect if the process was successful.
챔버를 열어 공정이 잘 완료되었는지 확인합니다.
Target : 2 inch Paladium
Sputter System Features
This sputter system offers:
Heating and cooling options for precise process control.
Adjustable substrate rotation speed, providing enhanced process uniformity.
이 스퍼터 시스템은:
정밀한 공정 제어를 위한 히팅(Heating) 및 냉각(Cooling) 옵션 제공.
공정 균일성을 높이기 위한 조절 가능한 기판 회전 속도 제공.
Part | Size and Note |
Substrate | 4 inch |
Gun (3EA) | 2 inch |
Manual throught valve | 282 182 24t / Butterfly type valve |
Heater | 0~150℃ |
Cooling | Cooling control temperature |
About the Sputter System
The sputter system is primarily used for thin film deposition, widely applied in semiconductor and advanced material research. The structure and options of the system can vary depending on the research objectives, allowing customization for specific needs.
At DawooVac, we specialize in manufacturing customized sputter systems tailored to meet our customers' unique requirements.
We are dedicated to ensuring customer satisfaction, valuing your feedback and opinions. For inquiries or feedback regarding our products or business, please contact us anytime.
스퍼터 시스템에 대해
스퍼터 시스템은 주로 박막 증착에 사용되며, 반도체 및 첨단 소재 연구에서 널리 활용됩니다.
연구 목적에 따라 시스템의 구조와 옵션이 달라질 수 있어, 특정 요구 사항에 맞게 커스터마이징이 가능합니다.
다우백은 고객의 요구 사항에 맞춘 맞춤형 스퍼터 시스템 제작을 전문으로 하고 있습니다.
저희는 항상 고객 만족을 위해 노력하며, 고객의 의견을 소중히 여깁니다.
제품이나 비즈니스 관련 문의 또는 피드백은 언제든지 연락 주시기 바랍니다.
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